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R5013ANX
Transistors
10V Drive Nch MOSFET
R5013ANX
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
TO-220FM
10.0
φ 3.2
4.5
2.8
Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Wide SOA (safe operating area).
1.3
1.2
0.8
4) Gate-source voltage (V GSS )
guaranteed to be 30V.
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
2.54
(1) (2) (3)
2.54
0.75
2.6
5) Drive circuits can be simple.
6) Parallel use is easy.
Applications
Switching
Packaging specifications
Package
Code
Bulk
?
Inner circuit
Type
Basic ordering unit (pieces)
500
R5013ANX
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
? 1
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Drain-source voltage
V DSS
500
V
(1) Gate
(1)
(2)
(3)
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
V GSS
I D
I DP
I S
I SP
? 3
? 1
? 3
? 1
± 30
± 13
± 52
13
52
V
A
A
A
A
(2) Drain
(3) Source
? 1 Body Diode
Avalanche Current
Avalanche Energy
Total power dissipation (Tc=25 ° C)
Channel temperature
Range of storage temperature
I AS
E AS
P D
Tch
Tstg
? 2
? 2
13
46
50
150
? 55 to + 150
A
mJ
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 L 500 μ H, V DD = 50V, R G = 25 Ω , Starting, Tch = 25 ° C
? 3 Limited only by maximum tempterature allowed
Thermal resistance
Parameter
Channel to case
Symbol
Rth(ch-c)
Limits
2.5
Unit
° C/W
Rev.A
1/5
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